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MT48LC16M16A2BG-75 IT:D TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54VFBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SDRAM; 存储容量：256M（16Mx16）; 速度：133MHz; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：54-VFBGA; 供应商器件封装：54-VFBGA（8x14）; 包装：Digi-Reel®

MT48LC16M16A2BG-75 IT:D TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54VFBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SDRAM; 存储容量：256M（16Mx16）; 速度：133MHz; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：54-VFBGA; 供应商器件封装：54-VFBGA（8x14）; 包装：带卷 (TR)

MT48LC16M16A2BG-75 IT:D TR详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54VFBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SDRAM; 存储容量：256M（16Mx16）; 速度：133MHz; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：54-VFBGA; 供应商器件封装：54-VFBGA（8x14）; 包装：剪切带 (CT)

MT48LC16M16A2BG-75 IT:D TR供应商

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MT48LC128M4A2TG-7E:C
存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
MFR-25FBF-887K
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 887K OHM 1/4W 1% METAL FILM
NL453232T-270J-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 27UH 5% 1812
NDS8934
FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-SOIC
OSTYK51622330
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 22CIRC 9.50MM
HM2P08PDE120L9LLF
背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
NLC453232T-101K-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR WW PWR 100UH 180MA 10%
NDF03N60ZG
FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 3.6OHM TO220FP
MFR-25FBF-909K
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 909K OHM 1/4W 1% METAL FILM
NL453232T-2R7J-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 2.7UH 5% 1812
HM2P08PDE230N9
背板 - 硬公制，标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
OSTYK55104030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 4CIRC 11MM
NLC453232T-121K-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR WW PWR 120UH 160MA 10%
MFR-25FBF-9K31
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 9.31K OHM 1/4W 1% METAL FILM
NDS9407
FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC